华为存储媒资解决方案亮相HCC 2013

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媒资总结作者开发的实验技术能够实现在WSe2单层中局部产生和光学探测应变场。利用纳米锥形光纤在5K时产生应变，解决同时探测WSe2单层的近场光响应。

之前的研究中，亮相对原子薄的半导体中局部应变效应的研究仅限于静态或室温。存储图文介绍图1 应变相关光谱的低温纤维技术 ©2022TheAuthorsa与hBN/WSe2/hBN异质结构的光纤接口示意图。自由暗激子在其长寿命期间被汇集到高应变区域，媒资并且是低温下漂移和扩散的主要参与者。

将光纤安装在压电纳米定位器上，解决能够控制和可逆地拉伸悬浮的WSe2单层。亮相在低温环境中动态应用应变方面的重要进展迄今仍停留在低应变状态(0.5%)。

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